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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底表面具有伪栅介质膜，伪栅介质膜表面具有伪栅极膜；在伪栅极膜的部分表面形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，对伪栅极膜进行第一刻蚀工艺，在伪栅极膜内形成第一沟槽，第一沟槽的侧壁垂直于衬底表面；对第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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