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本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一绝缘层、缓冲层和衬底，在所述衬底、缓冲层、第一绝缘层以及硬掩膜层中形成凹槽；在所述凹槽中填充电极材料层...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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