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一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法技术
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文档序号:13464168
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本发明属于半导体领域,涉及一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法,其至少包括一衬底及依次位于所述衬底之上的AlN缓冲层和外延层,其特征在于:所述AlN缓冲层和外延层之间还插入一金属缓冲层,所述金属缓冲层由Al颗粒层和Ni金属膜层组成,所...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。
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