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本发明涉及一种晶体管器件、电子设备以及形成晶体管器件的方法。公开了用于形成晶体管器件的技术，其相对于常规器件具有减小的寄生接触电阻。该技术例如可以使用标准接触部堆叠体来实现，所述标准接触部堆叠体例如为在硅或硅锗(SiGe)源极/漏极区上的一...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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