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本发明公开了一种沟槽型超结功率器件及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成P型外延层和位于P型外延层上的P型体层；在P型体层的部分表面进行离子掺杂，形成位于P型体层中的多个源区；形成贯穿源区、P型体层和P型外延层，且底部与衬底接触的多个沟槽，...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。