温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种基于CMOS图像传感器工艺的NP型单光子雪崩二极管(SPAD)，其基本结构包括：P型硅衬底上方设有深N阱；P阱形成于深N阱上方；P阱周围设有轻掺杂的保护环；N+区域形成于P阱上方并与保护环有一定的重叠；N+与P阱之间形成PN结...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。