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本发明属于涉及一种屏蔽差分硅通孔结构及制作方法。一种屏蔽差分硅通孔结构，其从上往下依次为顶层介质层、硅衬底和底层介质层。一种屏蔽差分硅通孔结构的制备方法，包括(1)在硅衬底上刻蚀环形盲槽；(2)制备第一介质层；(3)制备屏蔽层；(4)刻蚀盲...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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