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一种背结晶硅异质结双面太阳电池及制备方法，其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶体硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、透明导电薄膜层，背光面栅线状电极。先进行硅片的制绒清洗，然后...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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