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在所描述的示例中，包含finFET(114、116)的集成电路(100)可以被形成有在绝缘氧化物(110)上延伸的鳍(104)。第一finFET(114)和第二finFET(116)具有相差至少25％的暴露鳍高度(118、120)。暴露鳍高...
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