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本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法，将PIN接触层过孔之于像素单元的侧边，可以减少铟柱(包括UBM粘附层)封装工艺对PIN二极管器件电学特性的影响，避免金属钉刺现象，减少漏电流；同时，侧边接触结构可以降低PIN接触层过孔对后继的铟...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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