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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅及其制作方法。该制作方法可以包括：提供衬底，并在衬底上依次形成浅沟槽氧化层和浮栅层；对浮栅层进行化学机械研磨处理，以去除浅沟槽氧化层上的浮栅；对剩下的浮栅层进行回刻蚀处理，得到具有稳定表面织构的...该专利属于上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司授权不得商用。