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多个栅极沟槽形成在有源晶胞区中的半导体衬底中。一个或多个其他沟槽形成在不同区域。每个栅极沟槽都具有在底部的第一导电材料，以及在顶部的第二导电材料。在栅极沟槽中，第一绝缘层将第一导电材料与衬底隔开，第二绝缘层将第二导电材料与衬底隔开，第三绝缘...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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