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本发明公开了一种双面电池的制作方法，包括：S1：在硅衬底的正面生长氧化铝；S2：将硼离子注入至氧化铝中，将V族离子注入至该硅衬底的背面；S3：对步骤S2得到的结构进行退火处理，同时该氧化铝中的硼离子进入该硅衬底的正面中形成P型掺杂层。本发明...
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