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一种氮化物发光二极管芯片的制备方法技术
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文档序号:13370608
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本发明一种氮化物发光二极管芯片的制备方法,涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件,是增强半导体掺杂效率和载流子浓度的深紫外发光二极管的制备方法,在发光二极管结构中引入绝缘层/半导体结构,通过外部电场实现半导体增强...
该专利属于河北工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过河北工业大学授权不得商用。
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