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本发明涉及微电子技术领域，一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法，包括以下步骤：(1)对碳化硅样品进行传统RCA清洗；(2)将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中，进行氢等离子体处理；(3)通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形；(4)...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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