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本公开涉及具有降低的导通阻抗的垂直FET。在一个实施方式中，一种垂直场效应晶体管(FET)包括：衬底，具有位于漏极上方的漂移区域、位于漂移区域上方并且在其中形成有源极扩散部的本体区域、延伸通过本体区域的栅极沟槽、以及邻近栅极沟槽的沟道区域。...
该专利属于英飞凌科技美国公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技美国公司授权不得商用。

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