温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种屏蔽栅-深沟槽MOSFET的屏蔽栅氧化层及其形成方法，包括：第1步，外延层上刻蚀形成有沟槽，采用热氧化生长工艺在沟槽的底部表面和侧壁表面形成第一氧化层；第2步，在第一氧化层的表面形成氮化层；第3步，采用多晶硅淀积工艺在氮化层...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。