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公开了一种具有负电容的多栅FinFET及其制造方法及包括该FinFET的电子设备，所述多栅FinFET的栅极之一与负电容连接。根据实施例，FinFET可以包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍；在衬底上鳍的第一侧沿与第一方向相交的第二方向延伸从而...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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