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本发明公开了一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路，其传感器的前驱体采用化学方法制备的三氧化钨纳米材料，然后在表面上修饰氧化铜纳米颗粒的复合结构。气敏元件采用旁热式结构，该器件在55℃时，其灵敏度为105，并具有很好的选择性。通过单脉冲调制...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路，其传感器的前驱体采用化学方法制备的三氧化钨纳米材料，然后在表面上修饰氧化铜纳米颗粒的复合结构。气敏元件采用旁热式结构，该器件在55℃时，其灵敏度为105，并具有很好的选择性。通过单脉冲调制...