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公开了改进的硅通孔(TSV)和制造方法。在半导体衬底上形成后段制程(BEOL)堆叠。在后段制程(BEOL)堆叠和半导体衬底中形成TSV腔体。共形保护层沿着BEOL堆叠设置在TSV腔体的内表面上，到达半导体衬底内的中间处。共形保护层用于在后续...
该专利属于格罗方德半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体股份有限公司授权不得商用。

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