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本公开内容的一个方面涉及一种在半导体器件上形成阻挡层的方法。该方法包括将衬底置于反应腔室中，并且在衬底上方沉积阻挡层。阻挡层包括金属和非金属，阻挡层具有4nm或更小的已沉积厚度。该方法还包括通过邻近所述阻挡层由气体形成等离子体，减小阻挡层的...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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