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本发明公开了一种有序Sr/Si界面结构的制备方法，其步骤包括清洗硅片衬底；使用脉冲激光沉积方法在硅衬底上沉积氧化锶纳米薄膜；制备2×1‑Sr/Si单原子层有序表面结构。本发明采用高真空沉积方法如脉冲激光沉积或射频磁控溅射沉积技术，将1nm厚...
该专利属于常州工学院所有，仅供学习研究参考，未经过常州工学院授权不得商用。

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