一种有序Sr/Si界面结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种有序Sr/Si界面结构的制备方法，其步骤包括清洗硅片衬底；使用脉冲激光沉积方法在硅衬底上沉积氧化锶纳米薄膜；制备2×1‑Sr/Si单原子层有序表面结构。本发明专利技术采用高真空沉积方法如脉冲激光沉积或射频磁控溅射沉积技术，将1nm厚的氧化锶沉积到无氧化层的硅衬底上，然后在一定温度范围内退火处理一定时间，从而获得具有2×1结构的Sr/Si界面缓冲层。本发明专利技术的制备方法通过脉冲激光沉积镀膜技术和氧化锶材料的利用，即降低了设备成本，提高原材料的稳定性，又通过后续退火工艺的处理获得出具有2×1‑Sr/Si有序的表面缓冲层结构。

【技术实现步骤摘要】
201610225799

【技术保护点】
一种有序Sr/Si界面结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1：清洗硅片衬底；步骤2：使用脉冲激光沉积方法在硅衬底上沉积氧化锶纳米薄膜；步骤3：制备2×1‑Sr/Si单原子层有序表面结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜文汉，杨景景，赵宇，张燕，刘珂琴，熊超，朱锡芳，
申请(专利权)人：常州工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32