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本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种高发光效率氮化镓基LED外延片的制备方法。该方法制成的结构包括依次层叠的低温GaN成核层、镂空结构的GaN粗糙层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层及P型GaN层。其中生长镂空结构...
该专利属于太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过太原理工大学授权不得商用。

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