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本发明涉及一种LDMOS装置中的锥形栅极氧化物。本发明提供用于LDMOS装置的方法。一种形成半导体结构的方法包括：形成栅极介电质，该栅极介电质包括具有第一均匀厚度的第一部分、具有不同于该第一均匀厚度的第二均匀厚度的第二部分、以及具有自该第一...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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