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为克服现有技术中IGBT器件的制备工艺成本高的问题，本发明提供了一种IGBT器件的制备方法。本发明提供的IGBT器件的制备方法将高压终端区和有源区同时制作完成，优化了工艺过程，省去光刻步骤，降低了生产成本。...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

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