温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠以及其形成工艺。一种装置包括具有硅通孔(TSV)嵌入式管芯的无核衬底，该管芯集成到无核衬底。该装置包括耦合到TSV管芯并设置在无核衬底上方的后续管芯。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。