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本发明提供一种半导体结构的形成方法，该方法包括：提供一半导体基板；于该半导体基板的上方形成第一和第二栅极堆叠结构；于该半导体基板中形成第一和第二凹陷；进行一选择性成长步骤，以于该第一凹陷和该第二凹陷中成长一半导体材料，以同时且分别形成第一和...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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