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本发明涉及微电子机械系统加工领域，特别是一种ＭＥＭＳ传感器悬梁结构的制造方法。其包括以下步骤：１．准备原始硅片；２．在第一原始硅片上采用重复氧化方法，形成悬梁结构下面的氧化层图形；３．制作过渡多晶硅层；４．制作键合片、形成顶层硅；５．湿法释...该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。
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本发明涉及微电子机械系统加工领域，特别是一种ＭＥＭＳ传感器悬梁结构的制造方法。其包括以下步骤：１．准备原始硅片；２．在第一原始硅片上采用重复氧化方法，形成悬梁结构下面的氧化层图形；３．制作过渡多晶硅层；４．制作键合片、形成顶层硅；５．湿法释...