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本发明公开了一种基于电荷精确分布的锥形硅通孔的MOS电容量化方法。获取锥形硅通孔的结构参数，基于电荷精确分布的函数，推出锥形环面电势                                               满足的微分方程...
该专利属于华北电力大学所有，仅供学习研究参考，未经过华北电力大学授权不得商用。

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