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一种微机电技术领域的三维神经微电极的制作方法，具体如下：以硅片作为衬底，在硅片的正面生长底层ＳｉＯ↓［２］；在底层ＳｉＯ↓［２］上形成金属合金层，并刻蚀出金属互连线、压焊点和接触圆点；底层ＳｉＯ↓［２］正面生长顶层ＳｉＯ↓［２］，并采用缓冲...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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