【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种三维神经微电极的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，清洗硅片，以硅片作为衬底，采用等离子化学汽相淀积方法在硅片的一面生长底层ＳｉＯ↓［２］；步骤二，在底层ＳｉＯ↓［２］上依次溅射金属钛和金，形成金属合金层，并刻蚀 出金属互连线、压焊点和接触圆点；步骤三，在金属合金层上采用等离子化学汽相淀积方法生长顶层ＳｉＯ↓［２］，顶层ＳｉＯ↓［２］绝缘金属合金层，并采用缓冲的ＨＦ酸溶液刻蚀顶层ＳｉＯ↓［２］，暴露出压焊点和接触圆点，并采用光刻胶填充压焊点； 步骤四，在接触圆点上旋涂ＳＵ－８胶，并通过光刻与刻蚀工艺，形成圆柱形孔，圆柱形孔侧壁为ＳＵ－８胶，并采用光刻胶填充压焊点；步骤五，在圆柱形孔中电镀生长金属，最终形成金属圆柱，采用显影方式去除压焊点中的光刻胶，暴露出压焊点； 步骤六，对上述步骤得到的电极进行清洗，得到三维神经微电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：隋晓红，李莹辉，任秋实，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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