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一种生长氮化铝单晶用坩埚制造技术
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文档序号:13209444
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本实用新型公开了一种生长氮化铝单晶用坩埚,该坩埚包括坩埚盖、坩埚筒和导流环;其中,坩埚盖下表面设置有下凸台;导流环为上大下小的梯形圆环;下凸台下表面的边缘与导流环的上沿间隙配合;坩埚筒内表面设置有托起导流环的凸起,导流环的下沿与凸起间隙配合...
该专利属于北京华进创威电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京华进创威电子有限公司授权不得商用。
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