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本发明公开了一种非均匀等高梯度细胞捕获芯片的制备方法，其步骤：1、基底的选择及处理：基底是玻璃、石英或者硅；清洗，去除玻璃表面的油污等杂质；2、刻蚀掩膜制备：对玻璃基底进行烘干处理，得到要刻蚀的区域；3、湿法刻蚀：将选择的基底经过刻蚀掩膜处...该专利属于武汉友芝友医疗科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉友芝友医疗科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种非均匀等高梯度细胞捕获芯片的制备方法，其步骤：1、基底的选择及处理：基底是玻璃、石英或者硅；清洗，去除玻璃表面的油污等杂质；2、刻蚀掩膜制备：对玻璃基底进行烘干处理，得到要刻蚀的区域；3、湿法刻蚀：将选择的基底经过刻蚀掩膜处...