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本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层，其中所述器件层包括多个芯片区域，所述芯片区域之间不具有密封环且以划片线区域相互隔开；刻蚀所述器件层和所述半导体衬底的至少一部分，以在...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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