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单片式混合整流二极管结构制造技术
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文档序号:13196805
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本发明提供了一种单片式混合整流二极管结构。该单片式混合整流二极管结构包括芯片、至少一PIN二极管、至少一肖特基二极管以及终端结构。芯片具有第一主动区、第二主动区与终端区。PIN二极管配置于第一主动区上。肖特基二极管配置于第二主动区上。终端结...
该专利属于硕颉科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过硕颉科技股份有限公司授权不得商用。
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