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本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成栅极；去除栅极两端的部分厚度的鳍，以在隔离间形成凹陷区；从凹陷区开口端部去除部分隔离，以增大凹陷区的开口宽度；进行选择性外延生长...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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