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本发明涉及半导体技术领域，公开了一半导体设备检漏方法，包括步骤：待测晶圆预清洗，并测量其自然氧化层厚度D1；选定待检半导体设备，并采用所述待检半导体设备进行工艺制程，该工艺制程在测试气体氛围下进行；测量待测晶圆制程后自然氧化层厚度D2；依据...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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