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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第一区域和第二区域的第二半导体层上形成器件结构；刻蚀第一区域的器件结构两侧的第二半导体层，以...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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