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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，衬底中形成有所述叠层的隔离结构；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔进行腐蚀...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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