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本发明有关微电子学领域，可通过金属-有机化合物及氢化物之化学气相沉积产生III-V化合物半导体材料及II-VI化合物半导体材料的磊晶结构。申请专利范围是有关一种通过金属-有机化学气相沉积法（MOCVD）于单晶基材上产生二元半导体材料的磊晶层...该专利属于艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯;法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾;安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫所有，仅供学习研究参考，未经过艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯;法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾;安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫授权不得商用。