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一种半导体器件制造方法，包括：步骤1，在衬底上第一区域和第二区域中形成多个鳍片结构；步骤2，在第一区域和第二区域中多个鳍片结构上形成保护层；步骤3，选择性光刻/刻蚀去除第二区域中的保护层，露出鳍片结构；步骤4，在第二区域中露出的鳍片结构上形...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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