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本发明涉及一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法，将锑化铟样片低温恒温器中，待温度稳定后，将入射线偏振太赫兹波经一线偏振片提高偏振度，聚焦后照射至锑化铟样片的表面，并将一可调稳定的磁场垂直加载于锑化铟样片。根据入射太赫兹的频率，通...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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