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本发明提出了一种发光二极管元件，包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中，所述发光层的一侧或者两侧具有一避免发光二极管元件内部形成微型n-p-n结或p-n-p结的阻隔层，所述阻隔层为掺杂类型与相邻的半导体层相同的掺杂层，所述阻隔层...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

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