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本发明公开的一种多晶硅刻蚀方法，通过采用高频率、低压力、零偏压的具有各向同性刻蚀能力的含HBr的等离子体对光刻胶图形化后形成的光阻和刻蚀后剩余的BARC层进行处理，以使得上述光阻和剩余的BARC层的边缘变得光滑，然后采用上述含HBr等离子体...
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