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本发明公开了一种提高鲁棒性的RF-LDMOS器件结构，在传统RF-LDMOS器件的衬底和漏区之间增加埋层掺杂区，通过调节该埋层掺杂区的深度和浓度，可以优化RF-LDMOS器件在击穿条件下漏区的电场分布，增加由漏区垂直向衬底走电流的能力，从而...
该专利属于昆山华太电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山华太电子技术有限公司授权不得商用。

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