下载沟槽型VDMOS器件及其制作方法的技术资料

文档序号:13085703

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本发明公开了沟槽型VDMOS器件及其制作方法,具体包括:在外延层制作体区和沟槽;在所述沟槽及体区表面生成栅氧化层;在沟槽侧壁处的栅氧化层表面生成掺杂多晶硅层;在沟槽内生成不掺杂多晶硅,填充沟槽内的剩余空间;在所述体区制作源区;在形成源区后的...
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