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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供逻辑器件，所述逻辑器件包括逻辑元件和位于所述逻辑元件上的互连结构，其中，所述互连结构位于层间介电层中；步骤S2：图案化所述层间介电层，以在所述互连结构顶部之间的所述层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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