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本发明提供一种形成栅极的方法，包括：提供衬底，使衬底具有第一区域以及第二区域；形成伪栅以及层间介质层；形成牺牲层；去除位于第一区域的伪栅，以在第一区域的层间介质层中形成第一开口；在位于第二区域的牺牲层表面、第一区域的层间介质层表面以及第一开...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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