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本发明提供了一种腔室环境的控制方法，包括以下步骤：步骤S1，向腔室内通入预清洗气体，对腔室的内表面进行清洗；步骤S2，向腔室内通入第一气体，以在腔室内表面上沉积第一涂层，第一涂层不含氟；步骤S3，将待加工的基片传输至腔室内进行工艺，且在工艺...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。